天津大學(xué)高頻小功率晶體管參數(shù)測試儀項目招標(biāo)公告
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公告摘要
各有關(guān)單位請于2012.12.25前與公告中聯(lián)系人聯(lián)系，及時參與投標(biāo)等相關(guān)工作，以免錯失商業(yè)機會。
部分信息內(nèi)容如下：（查看詳細(xì)信息請登錄）
受****的委托，*******將以公開招標(biāo)方式,對****高頻小功率晶體管參數(shù)測試儀項目實施政府采購。現(xiàn)歡迎合格的投標(biāo)人參加投標(biāo)。
一、項目名稱：高頻小功率晶體管參數(shù)測試儀（招標(biāo)編號：***********）
二、招標(biāo)內(nèi)容： 高頻小功率晶體管參數(shù)測試儀
標(biāo)書見附件，免費下載。
三、投標(biāo)人資質(zhì)要求：
*．法人營業(yè)執(zhí)照副本或加蓋公章的復(fù)印件。
*．法定代表人授權(quán)書（須有法人代表簽字和蓋章）。
*．被授權(quán)人的身份證復(fù)印件及有效聯(lián)系電話（請將電話標(biāo)注于身份證復(fù)印頁下方）。
四、獲取招標(biāo)文件的方式：招標(biāo)文件電子文檔可在****設(shè)備信息網(wǎng)（http://sbc.tju.edu.cn/）下載。
五．報名時間（**時間）：****年**月**日-****年**月**日 **：**止，每日*：**至**：**（法定節(jié)假日除外）。
五、投標(biāo)截止時間及地點：****年**月**日*：**前在****第九教學(xué)樓***室，逾期收到或不符合規(guī)定的投標(biāo)文件恕不接受。
六、開標(biāo)時間及地點：****年**月**日*：**在****第九教學(xué)樓***室。
七、凡參加投標(biāo)的投標(biāo)人均被視為接受上述采購項目的招標(biāo)要求。投標(biāo)人如對本招標(biāo)文件有疑義的，請在開標(biāo)截止日*日前以書面形式送達*******，逾期將視為認(rèn)同本招標(biāo)文件的公平、公正性。
八、采購代理機構(gòu)：*******
聯(lián)系地址：******衛(wèi)津路**號
郵政編碼：******
網(wǎng) 址：http://sbc.tju.edu.cn/
聯(lián)系電話：(***) ******** ********
傳真電話：(***) ******** ********
聯(lián) 系 人： 孫仕俊
采購單位：****
采購代理機構(gòu)：*******
附件：
招標(biāo)產(chǎn)品清單和技術(shù)要求
設(shè)備名稱：高頻小功率晶體管參數(shù)測試儀
數(shù)量：*臺
用途：用于電子科學(xué)與技術(shù)專業(yè)本科學(xué)生專業(yè)課教學(xué)和實驗。
對設(shè)備的總體要求：
總體要求測試器件品種覆蓋面廣、測試精度高、電參數(shù)測試全、速度快、有良好的重復(fù)性和一致性、工作穩(wěn)定可靠，具有保護系統(tǒng)和被測器件的能力。被測器件可通過圖形顯示，系統(tǒng)軟件功能全、使用靈活方便、操作簡單。系統(tǒng)軟件穩(wěn)定可靠、硬件故障率低，在實際測試應(yīng)用中各項技術(shù)指標(biāo)均應(yīng)達到器件手冊技術(shù)指標(biāo)及國標(biāo)要求。
主要參數(shù)及技術(shù)指標(biāo)：
一、測試參數(shù)
*.二極管： VF、IR、BVR
*．穩(wěn)壓（齊納）二極管：VF、IR、BVZ
*．晶體管（NPN型/PNP型）：VBE、ICBO、 LCEO、IEBO、BVCEO、BVCBO、
*．可控硅整流器（晶閘管） ：IGT、VGT、 IH、IL 、VTM
*．場效應(yīng)管：IGESF、IGSSF、 IGSSR、IGSS、VDSON
*．光電耦合器：VF 、IR、CTR、ICEO、BVCEO、VCESAT
二、測試參數(shù)范圍
晶體管
測試參數(shù)測試范圍
ICEO
ICBO
IEBO*nA-***nA
***nA-*uA
*uA-**mA
VCE(sat)*.**V-**V
VBE(VBE(on))*.**V-**V
V(BR)CEO
V(BR)CBO*. **V-**V
**V-****V
二極管
測試參數(shù)測試范圍
IR*nA-**mA
VF*.**V-**V
V(BR)*V-**V
穩(wěn)壓二極管
測試參數(shù)測試范圍
IR*nA-**mA
VF*.**V-**V
VZ*.**V-**V
三端穩(wěn)壓器
測試參數(shù)測試范圍
VO*.**V-**V
SV*.**mV-*V
ID*uA-**mA
IDV*uA-**mA
MOSFET
測試參數(shù)測試范圍
VGS(th)*.**V-**V
gfs*.*mS-****S
RDS(on)**mΩ-***KΩ
VDS(on)*.**V-**V
IGSS*nA-**mA
IDSS*nA-**mA
ID(on)*-**A
光電耦合器
測試參數(shù)測試范圍
VF*.**V-**V
IR*nA-**mA
VCE(sat)*.**V-**V
CTR*.*%-****%
V(BR)ECO V(BR)CEO*.**V-**V
可控硅
測試參數(shù)測試范圍
IGT**uA-***mA
VGT*.**V-**V
IH**uA-*A
IL**uA-*A
VTM*.**V-**V
三、技術(shù)指標(biāo)
*、源的指標(biāo)
壓流源
電壓：
設(shè)定范圍（V）精確度
±(*~**)±(**.*mV+*%set)
±(**~**)±(**.*mV+*%set)
電流：
測量范圍精確度
±(*-**)uA±(**nA+*% set)
±(**-***) uA±(***nA+*% set)
高壓源（HV）
設(shè)定范圍（V）精確度
*~****±(*.**V+*%set)
*、電壓表的指標(biāo)
測漏電流
測量范圍精確度
±(*~***)nA±(*.*nA+*% Rdg)
±(*.*-*)uA±(**nA+*% Rdg)
測試電壓
設(shè)定范圍（V）精確度
±(*~**)±(*mV+*% Rdg)
±(**~**)±(*mV+*% Rdg)
測擊穿電壓
設(shè)定范圍（V）精確度
（*~**）V/**mA±(**.*mV+*% Rdg)
（**~****）V/*mA±(***.*mV+*% Rdg)
放大倍數(shù)
設(shè)定范圍（V）精確度
*~*****%
設(shè)備名稱：高頻小功率晶體管參數(shù)測試儀
數(shù)量：*臺
用途：用于電子科學(xué)與技術(shù)專業(yè)本科學(xué)生專業(yè)課教學(xué)和實驗。
對設(shè)備的總體要求：
總體要求測試器件品種覆蓋面廣、測試精度高、電參數(shù)測試全、速度快、有良好的重復(fù)性和一致性、工作穩(wěn)定可靠，具有保護系統(tǒng)和被測器件的能力。被測器件可通過圖形顯示，系統(tǒng)軟件功能全、使用靈活方便、操作簡單。系統(tǒng)軟件穩(wěn)定可靠、硬件故障率低，在實際測試應(yīng)用中各項技術(shù)指標(biāo)均應(yīng)達到器件手冊技術(shù)指標(biāo)及國標(biāo)要求。
主要參數(shù)及技術(shù)指標(biāo)：
二、測試參數(shù)
*.二極管： VF、IR、BVR
*．穩(wěn)壓（齊納）二極管：VF、IR、BVZ
*．晶體管（NPN型/PNP型）：VBE、ICBO、 LCEO、IEBO、BVCEO、BVCBO、
BVEBO、hFE、VCESAT、VBESAT 、VBEON
*．可控硅整流器（晶閘管） ：IGT、VGT、 IH、IL 、VTM
*．場效應(yīng)管：IGESF、IGSSF、 IGSSR、IGSS、VDSON、RDSON、VGSTH、IDSS、IDON 、gFS、 BVDGO、BVGSS
*．光電耦合器：VF 、IR、CTR、ICEO、BVCEO、VCESAT
*．三端穩(wěn)壓器：VO、SV、ID、IDV
二、測試參數(shù)范圍
晶體管
測試參數(shù)測試范圍
ICEO
ICBO
IEBO*nA-***nA
***nA-*uA
*uA-**mA
VCE(sat)
VBE(sat)*.**V-**V
VBE(VBE(on))*.**V-**V
hFE*－*****
V(BR)EBO*.**V-**V
V(BR)CEO
V(BR)CBO*. **V-**V
**V-****V
二極管
測試參數(shù)測試范圍
IR*nA-**mA
VF*.**V-**V
V(BR)*V-**V
**V-****V
穩(wěn)壓二極管
測試參數(shù)測試范圍
IR*nA-**mA
VF*.**V-**V
VZ*.**V-**V
三端穩(wěn)壓器
測試參數(shù)測試范圍
VO*.**V-**V
SV*.**mV-*V
ID*uA-**mA
IDV*uA-**mA
MOSFET
測試參數(shù)測試范圍
VGS(th)*.**V-**V
gfs*.*mS-****S
RDS(on)**mΩ-***KΩ
VDS(on)*.**V-**V
IGSS*nA-**mA
IDSS*nA-**mA
ID(on)*-**A
V(BR)GSS*.*V-**V
V(BR)DSS*.*V-****V
光電耦合器
測試參數(shù)測試范圍
VF*.**V-**V
IR*nA-**mA
VCE(sat)*.**V-**V
CTR*.*%-****%
ICEO與IR參數(shù)相同
V(BR)ECO V(BR)CEO*.**V-**V
**V-****V
可控硅
測試參數(shù)測試范圍
IGT**uA-***mA
VGT*.**V-**V
IH**uA-*A
IL**uA-*A
VTM*.**V-**V
三、技術(shù)指標(biāo)
*、源的指標(biāo)
壓流源
電壓：
設(shè)定范圍（V）精確度
±(*~**)±(**.*mV+*.**%set)
±(**~**)±(**.*mV+*.**%set)
電流：
測量范圍精確度
±(*-**)uA±(**.*nA+*.**% set)
±(**-***) uA±(***nA+*.**% set)
±(*.*-*) mA±(*.**uA+*.**% set)
±(*-**) mA±(**.*uA+*.**% set)
±(**~***) mA±(***uA+*.**%set)
±(*.*~*)A（脈沖）±(*.**mA+*.**%set)
±(*-**)A（脈沖）±(**.*mA+*.**%set)
高壓源（HV）
設(shè)定范圍（V）精確度
*~****±(*.**V+*%set)
*、電壓表的指標(biāo)
測漏電流
測量范圍精確度
±(*~***)nA±(*.**nA+*.**% Rdg)
±(*.*-*)uA±(**.*nA+*.**% Rdg)
±(*-**)uA±(***nA+*.**% Rdg)
±(**~***) uA±(*.**uA+*.**% Rdg)
±(*.*~*)mA±(**.*uA+*.**% Rdg)
±(*-**)mA±(***uA+*.**% Rdg)
±(**~***) mA±(*.**mA+*.**% Rdg)
±(*.*~*)A（脈沖）±(**.*mA+*.**% Rdg)
±(*-**)A（脈沖）±(***mA+*.**% Rdg)
測試電壓
設(shè)定范圍（V）精確度
±(*~**)±(*mV+*.**% Rdg)
±(**~**)±(*mV+*.**% Rdg)
測擊穿電壓
設(shè)定范圍（V）精確度
（*~**）V/**mA±(**.*mV+*.**% Rdg)
（**~****）V/*mA±(***.*mV+*% Rdg)
放大倍數(shù)
設(shè)定范圍（V）精確度
*~*****%
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- 招標(biāo)導(dǎo)航
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施工準(zhǔn)備 土地整理 三通一平
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