加入日期: | 2015.12.31 |
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招標業主: | 深圳大學 |
地 區: | 深圳市 |
項目名稱 |
等離子增強原子層沉積儀 | 是否預選項目 |
否 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
采購人名稱 |
深圳大學 | 采購方式 |
公開招標 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
財政預算限額(元) |
2325000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
項目背景 |
等離子增強原子層沉積儀項目是深圳市財政委員會批復的高端人才科研啟動費項目。
設備主要用途是:等離子增強原子層沉積儀是通過交替的表面飽和反應進行自限制生長超薄薄膜,它通過控制反應周期數精確地控制薄膜的厚度,以獲得均勻一致的膜層厚度;具有完美的三維保形性,可在任意曲面,如平面、復雜三維、多孔基板和粉末上沉積高純度薄膜,此設備是我單位研究電子器件的光學薄膜制備不可或缺的的技術,滿足薄膜制備工藝很高的電學性能要求。所以等離子增強原子層沉積系統對實驗室開展研究工作有重要作用。 該設備項目預算為232.5萬元人民幣。 |
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投標人資質要求 |
1)投標人”系指響應采購文件要求、參加本次招標采購的供應商。 (1) 投標人必須是來自中華人民共和國或是與中華人民共和國有正常貿易往來的國家或地區(以下簡稱“合格來源國/地區”)的法人或其他組織,在法律上和財務上獨立、合法運作并獨立于招標人和招標機構,具有相關經營范圍,有資格和能力提供本采購項目的貨物及服務的制造商或代理商(或經銷商)。須提供營業執照或企業注冊證明復印件(經營范圍必須涵蓋本次招標貨物,加蓋公章)。深圳大學是科教儀器設備減免稅單位,如果是境外供貨,投標人應有境外供貨與外幣結算資格或者是取得了境外供貨貿易商的投標授權。若投標人按照合同提供的貨物不是投標人自己制造的,投標人應得到貨物制造商同意其在本次投標中提供該貨物的正式授權書原件或是合法代理商(若投標人為合法代理商應出具有效代理證明掃描件,制造商除外)。(2)證明投標人已具備履行合同所需的財務、技術和生產能力的文件。(3)投標人須提供設備在國內的銷售業績表、合同復印件或中標通知書復印件(表中應列出設備的出廠日期、用戶名稱、地址、聯系人及聯系方式***
2)參與政府采購項目投標的供應商近三年內無行賄犯罪記錄(由采購中心定期向市人民檢察院申請對政府采購供應商庫中注冊有效的供應商進行集中查詢,投標文件中無需提供證明材料); |
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具體技術要求 |
1.采購貨物配置功能要求,各設備的主要技術參數、性能規格
1 工作條件及總體要求:
1.1 需求招標的原子層沉積儀應包括:真空系統(真空腔、抽氣系統)、反應腔、等離子體輔助沉積系統、預真空傳片系統、生長源及其輸運系統、臭氧發生系統、壓力和溫度測量與控制系統、載體氣體控制裝置等。
1.2 ★反應腔適用于處理最大尺寸為200mm的單片硅平面襯底,兼容處理尺寸范圍內的其它平板、三維及碎片物體。可用于平板、多孔、深溝槽以及粉末樣品的薄膜沉積工藝,且無需更換反應腔;
1.3 適應于標準的實驗室環境條件,對實驗室環境條件無特殊要求和限制。
1.4 適于供電電源380 – 400VAC(±10%),50Hz, 三相五線制。
2 腔體技術要求:
2.1 ★設備為雙腔體結構,反應腔體獨立安裝在真空腔體內,各自配置密封蓋,沉積過程需能夠保證真空腔體壓力大于反應腔體,確保反應腔體內的化學物質不會泄露到真空腔體中;
2.2 可同時加熱襯底與反應腔體壁,最高加熱溫度500℃,配置溫度傳感器同時監測反應腔體及襯底溫度,通過軟件設定并控制加熱的溫度范圍和浮動精度,反應腔體內溫度應均勻一致,溫度控制精度滿足±1℃以內;
2.3 ★設備無需水冷,且設備加熱至最高500℃時外壁保持溫度低于60攝氏度,以確保人體接觸安全;
2.4 ★反應腔體及真空腔體的密封蓋由氣動機械自動開關,避免腔體內氣壓過高的潛在危險,和避免密封蓋過熱對人體造成燙傷,開關操作通過軟件實現。
3 等離子體源系統:
3.1 滿足等離子增強原子層沉積(PEALD)工藝要求,能提供有效措施減小對膜層結構破壞;
3.2 ★采用電感耦合遠程等離子體源。等離子體發生器功率在100-3000W范圍可調,頻率在1.7-3MHz范圍內可調。等離子體發生器與基底必須保持足夠距離(>500mm)以減少離子轟擊對基片造成的破壞效應;
3.3 ★為保證操作的靈活性,無需裝卸等離子體發生器及相應的氣體管路就可以直接使用等離子體。軟件自動控制系統進入或離開等離子體ALD的工作模式;
3.4 不少于2路獨立的等離子體工藝氣體管路(不包括載氣管路),包括獨立的閥門和質量流量計;
4 預真空傳片系統:
4.1 配置Load-Lock預真空傳片系統,該系統需要滿足最大直徑為200mm及其以下尺寸基底的傳片要求。Load-Lock腔需配置觀察視窗、壓力傳感器、惰性氣體供給管路,配置門閥、操縱桿以及氣動基底提升系統。
5 前驅體源管路的技術要求:
5.1 ★設備配置至少6條完全獨立的前驅體源管路,分別對應反應腔體上完全獨立的6個前驅體源入口,不能有任何共用管路。
5.2 前驅體源系統包括:液態源系統、加熱源系統、氣體源系統。對應的脈沖閥與三通閥為通過電腦控制的非惰性氣體氣動的閥門。應能保證:如果設備沒有啟動,前驅體源系統的各閥門都應處于關閉狀態;
5.3 每條管路須配置獨立的市場認可的進口知名廠家生產的質量流量計(MFC)、壓強傳感器、高質量的脈沖閥,液態源與加熱源分別配置獨立的溫度傳感器;
5.4 常溫液態源系統包含液態源瓶、管道與脈沖閥門,適用于高蒸氣壓的液態前驅體。容積不小于130ml,配置手動隔離閥。
5.5 ★每個常溫液態料源裝置均須配制Peltier溫度控制系統,以調節和穩定液態源溫度。為防止極端條件下源泄漏造成的危險,不可采用循環水浴。
5.6 加熱源系統包含源瓶,適用于脈沖蒸氣壓較低的固態與液態前驅體,通入氮氣等載氣導出前驅體至反應腔,配備溫控管路、脈沖閥門與熱絕緣器;
5.7 ★加熱源料瓶容積不小于50 ml,加熱溫度不低于200℃。料瓶無需復雜的清洗、組裝步驟,采用工業標準化的VCR真空密封接頭。
5.8 在更換料瓶前后,管路及其與之相聯接的管路和閥門系統須具有在線凈化功能,以方便料源的更換。
5.9 氣體源系統,包含質量流量計、管路、計算機控制的三通氣壓閥門
5.10 質量流量計(MFC)的測量范圍滿足0-2000 sccm,流速可預設;
5.11 壓強傳感器的測量范圍滿足0-1050mbar;
6 真空泵技術要求:
6.1 提供一套進口的知名廠家生產的真空油
6.2 泵速不小于170 m3/h。
6.3 泄漏率:小于10-8 mbar.l/s;
6.4 配備油霧消除器。
7 臭氧發生器技術要求
7.1 產量:不小于20g /h;
7.2 濃度:不小于150mg/L;
7.3 含臭氧毀滅器、潔凈連接管路及安裝配件,配備VCR接口;
8 操作軟件系統的技術要求
8.1 操作界面友好,無需使用編程語言,具備程序儲存、讀取功能,能夠輸出實驗數據,顯示24個小時內設備系統各部分參數的時間趨勢圖,包括各部分質量流量、溫度、壓強的時間趨勢圖,用于監測設備穩定性;
8.2 沉積過程中監測顯示每個源管路的脈沖壓強,顯示脈沖壓強與時間關系圖,用于監測脈沖穩定性;
8.3 為確保操作人員與設備安全,設備操作系統必須具有以下聯動保護功能:
a) 壓強與真空泵:當超出設定的壓強范圍時,真空泵自動開啟,否則為關閉狀態;
b) 壓強與脈沖:當反應腔體壓強超出設定值時,前驅體的脈沖自動停止;
c) 壓強與加熱:當反應腔體壓強超出設定值時,設備各部分加熱自動停止;
d) 壓強與腔體密封蓋的開啟:當反應腔體壓強超出設定值時,軟件系統操作與用戶手動都無法打開腔體密封蓋,直到腔體壓強達到安全范圍;
e) 加熱與脈沖:如果設備任一部分加熱溫度沒有達到設定值,則前驅體脈沖自動停止;
f) 加熱穩定時間與脈沖:當加熱穩定時間沒有達到設定值,則前驅體脈沖自動停止;
9 主機、附件詳細清單
投標商所提供的系統需包括以下部件:
1) 1套真空腔體;
2) 1套反應腔體,配置完全獨立的至6個前驅體源入口;
3) 1套完全獨立的至少6路前驅體源管路連接反應腔體,配置相應的閥路系統;
4) 1套等離子體輔助沉積系統,包含2路工藝氣體管路;
5) 1套預真空傳片系統,用于在不暴露反應腔于大氣環境中時基片的傳送;
6) 3套加熱源系統,用于脈沖蒸氣壓比較低的固態或液態前驅體,每套系統含源瓶;
7) 4套常溫液態源系統,用于脈沖蒸氣壓比較高的液態前驅體,每套系統含源瓶;
8) 2套氣體源系統,用于脈沖氣態前驅體,適用于NH3和O3;
9) 1套臭氧發生器,用于生產臭氧氣體;
10) 1套擴散增強器系統,用于在高比表面積襯底上沉積薄膜;
11) 1套N2或Ar載氣和清洗管路,配置相應的閥路系統;
12) 1套氣動升降臺送片/取片;
13) 1套溫度傳感器監測和調節系統,用于設定并控制加熱反應腔體;
14) 1套壓力傳感和調節系統,用于反應腔壓力監控和調節;
15) 1套油式真空泵系統,包括泵和油霧消除器;
16) 1套PLC控制系統;
17) 1臺用于控制操作和數據存儲的PC機,及相應的操作系統軟件;
18) 1套安全系統,包括非常停止開關(EMO)、安全互鎖功能和安全排氣必備組件等;
2.技術驗收主要標準(不選請刪除)
1. 熱ALD,Al2O3工藝驗收
1) 采用Al2O3工藝驗證設備的基本操作
2) 沉積溫度300 °C
3) TMA用作金屬前驅體源
4) H2O用作非金屬前驅體源
5) 三次沉積實驗,每次500個循環
6) ★ALD循環周期時間: ≤2.2秒/循環
7) ★驗收標準:6英寸硅片上Al2O3薄膜厚度不均勻性:1 % (1-sigma, 邊緣10 mm 除外);擊穿電壓:7-9mV/cm;漏電流:<10-8mA/cm2(5mV);片內工藝顆粒數量:<20個(>0.3um)
2. 熱ALD,TiN工藝驗收
1) 有機前驅體材料:TiCl4+NH3;
2) 驗收薄膜材料:TiN
3) ★驗收薄膜厚度:20nm
4) ★片內薄膜厚度不均勻性:Std(標準差)/average(均值) x 100% < 3% (10 mm 邊緣除外)。
5) ★薄膜電阻率:<250μΩ·cm
3. PEALD 工藝驗收
1) 沉積溫度200°C
2) 采用三甲基鋁(TMA)作為金屬源
3) 采用O2等離子體作為氧源
4) 三次沉積實驗,每次500個循環
5) ★驗收標準:6英寸硅片上Al2O3薄膜厚度不均勻性:2% (1-sigma, 邊緣10 mm 除外)
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商務需求 |
備注:
1. “(一)免費保修期內售后服務要求”部分,請詳細列明免費保修期內的售后服務要求,內容包括但不限于免費保修期限、售后服務人員配備、技術培訓方案、質量保證、違約承諾、維修響應及故障解決時間、方案等。
2. “(二)免費保修期外售后服務要求”部分,請詳細列明免費保修期外的售后服務要求,內容包括但不限于零配件的優惠率、維修響應及故障解決時間、方案、提供的服務等。
3. “(三)其他商務要求”部分,如有補充,請詳細列明。 |
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技術規格偏離表 |
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商務規格偏離表 |
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評標信息 |
評標信息(設備類不含工程)
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其它 |
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附件 |